| 富士IGBT模塊6MBI15S-120-02現(xiàn)貨銷售庫存充足 |
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上海菲茲電子科技有限公司
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.jpg) 器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel?region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain?injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C） .jpg) 動(dòng)態(tài)特性又稱開關(guān)特性，IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分：一是開關(guān)速度，主要指標(biāo)是開關(guān)過程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開關(guān)過程中的損耗。 IGBT?的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT?處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP?晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B?值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET?的電流成為IGBT?總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on)?可用下式表示 Uds(on)?=?Uj1? ?Udr? ?IdRoh 式中Uj1?——?JI?結(jié)的正向電壓，其值為0.7?～1V?；Udr?——擴(kuò)展電阻Rdr?上的壓降；Roh?——溝道電阻 .jpg) IGBT?的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。 IGBT?的伏安特性是指以柵源電壓Ugs?為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs?的控制，Ugs?越高，?Id?越大。它與GTR?的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1?、放大區(qū)2?和擊穿特性3?部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT?，正向電壓由J2?結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N 緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N 緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT?的某些應(yīng)用范圍。 .jpg) .jpg) .jpg)
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