粵吉代理維安中低壓12V-100V P溝槽通道功率MOS
維安提供各類功率半導體產(chǎn)品，包括500V/ 600V/ 650V/ 700V/ 800V/ 900V/ 950V/ 1050V/ 1200V高壓超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）系列產(chǎn)品、 600V/ 650V/ 700V高壓VDMOS（HV-VDMOS）系列產(chǎn)品、低壓功率MOSFET （LV-MOS）系列產(chǎn)品、肖特基二極管（Schottky Diode）等。維安功率半導體
采用先進的超結(jié)工藝技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的高壓VDMOS，維安系列產(chǎn)品具有極低的特征導通電阻及柵極電荷，可以顯著改善電源系統(tǒng)
效率，降低溫度。相比傳統(tǒng)VDMOS，500V-1200V WMOSTM系列產(chǎn)品具有更好的性價比，并且重點改善了傳統(tǒng)SJ-MOS存在的浪涌及EMI性能不佳的問題。應(yīng)對電源系統(tǒng)小型化及超薄化趨勢，開發(fā)了SOT-223-2L，TO-220 ISO，TO-220F SL，TO-262N，PDFN 8x8，PDFN5x6等先進的封裝技術(shù)。
WM01P75R DFN2*2-6L VDS耐壓：-12 ID 電流：-7.5Vgs
WM02P160R DFN2*2-6L VDS耐壓：-20 ID 電流：-16
WMQ55P02T1 PDFN3*3-8L VDS耐-20ID 電流：-55
WMS15P02T1 SOP-8L VDS耐壓：-20 ID 電流：-15
WMQ55P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-55 Vgs內(nèi)阻：8.5
WMB60P03T1 PDFN5*6-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-60 Vgs內(nèi)阻：8.8
WMS16P03T1 SOP-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-16 Vgs內(nèi)阻：8.8
WMQ50P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-50 Vgs內(nèi)阻：9
WMS14P03T1 SOP-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-14 Vgs內(nèi)阻：9.2
WMQ42P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-42 Vgs內(nèi)阻：14
WMS09DP03T1 SOP-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-9 Vgs內(nèi)阻：14
WMO50P03T1 TO-252 VDS耐壓：-30 ID 電流：-50 Vgs內(nèi)阻：14
WMS12P03T1 SOP-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-11.5 Vgs內(nèi)阻：15
WM03P115R DFN2*2-6L VDS耐壓：-30 ID 電流：-11.5 Vgs內(nèi)阻：24
WMQ30P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-30 Vgs內(nèi)阻：24
WMQ30P04T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-40 ID 電流：-30 Vgs內(nèi)阻：13
WMS13P04T1 SOP-8L VDS耐壓：-40 ID 電流：-13 Vgs內(nèi)阻：13
WMO50P04T1 TO-252 VDS耐壓：-40 ID 電流：-50 Vgs內(nèi)阻：13
WMQ25P06T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-60 ID 電流：25 Vgs內(nèi)阻：28
WMO35P06T1 TO-252 VDS耐壓：-60 ID 電流：-35 Vgs內(nèi)阻：28
WMO25P06T1 TO-252 VDS耐壓：-60 ID 電流：-25 Vgs內(nèi)阻：40
WMO13P06T1 TO-252 VDS耐壓：-60 ID 電流：-13 Vgs內(nèi)阻：90
WMS05P06T1 SOP-8L VDS耐壓：-60 ID 電流：-4.5 Vgs內(nèi)阻：90
WMQ12P10T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-100 ID 電流：12 Vgs內(nèi)阻：100
WMO18P10T1 TO-252 VDS耐壓：-100 ID 電流：-18 Vgs內(nèi)阻：110
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