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某 OEM 系統(tǒng)集成商在搭建系統(tǒng)-復合磁控濺射沉積裝置, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 作為濺射源.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

該復合磁控濺射沉積裝置主要包含：

1. 濺射源-KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380

2. 清洗源-KRI 霍爾離子源 eH3000

3. 高功率脈沖磁控濺射電源

4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700

5. 基臺

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

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