對于可編程晶振調(diào)整頻率可以直接使用說明進(jìn)行操作。晶體振蕩器單元的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平在驅(qū)動(dòng)電平規(guī)格內(nèi)。晶振作為電子產(chǎn)品中的必需品，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，存在各種問題，如晶振異常振蕩頻率、晶振異常振蕩頻率包括無頻率信號(hào)號(hào)輸出以及實(shí)際振蕩頻率與標(biāo)稱頻率的差異等。
過高的驅(qū)動(dòng)電平可能導(dǎo)致更高的振蕩頻率或更大的R1。如何衡量駕駛水平如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中規(guī)定的負(fù)載電容不同，實(shí)際振蕩頻率可能與晶體單元的標(biāo)稱頻率不同。這個(gè)頻率差可以通過以下措施來調(diào)整：
電路板上的負(fù)載電容似乎大于6pF。因此，使用8pF作為負(fù)載電容會(huì)改變規(guī)定的30MHz應(yīng)時(shí)晶體振蕩器單元。通過這種改變，實(shí)際振蕩頻率由30MHz降低到5ppm，頻率差可以調(diào)節(jié)，這些方面都是根據(jù)自己的需求進(jìn)行選擇。
晶體單元的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平超過其規(guī)定的最大值。重要的是，壓電應(yīng)時(shí)晶振單元的實(shí)際驅(qū)動(dòng)水平在驅(qū)動(dòng)水平規(guī)格內(nèi)。過高的驅(qū)動(dòng)電平可能導(dǎo)致更高的振蕩頻率或更大的R1。請參考下面如何衡量駕駛水平：如果要降低驅(qū)動(dòng)級(jí)別，可以采取以下措施：
1、改變阻尼電阻：
通過改變阻尼電阻，反相放大器的輸出幅度衰減，實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平變低。通過這種變化，振蕩幅度會(huì)減小。因此，可檢查振蕩裕量是否超過5倍。此外，應(yīng)注意不要使振蕩幅度過小。
2、改變外部負(fù)載電容：
通過改變外部負(fù)載電容，由于振蕩電路的高阻抗，實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平變低。在這種情況下，由于負(fù)載電容較小，應(yīng)時(shí)晶振的實(shí)際振蕩頻率變高。因此，可檢查實(shí)際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內(nèi)。
晶體單元的振蕩頻率根據(jù)其規(guī)格中規(guī)定的負(fù)載電容進(jìn)行分類。因此，如果實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)格中規(guī)定的負(fù)載電容不同，實(shí)際振蕩頻率可能與晶體單元的標(biāo)稱頻率不同。這個(gè)頻率差可以通過以下措施來調(diào)整：
調(diào)整外部負(fù)載電容。為了改變外部負(fù)載電容，實(shí)際振蕩頻率變低。如果外部負(fù)載電容較大，請注意振蕩裕量會(huì)較低。外部負(fù)載電容較大時(shí)，振蕩幅度可能很小。更換不同負(fù)載電容的晶振單元。為了應(yīng)用負(fù)載電容大的晶胞，實(shí)際振蕩頻率變高。比如：需要30MHz的頻率，用一個(gè)規(guī)定頻率為30MHz的晶振單元作為負(fù)載電容，額定頻率為6pF。確認(rèn)實(shí)際振蕩從30MHz低至30ppm。振蕩電路可能無法在晶體單元的標(biāo)稱頻率附近工作，這被稱為“不規(guī)則振蕩”，然后根據(jù)相關(guān)的說明操作即可。