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為了滿足激光慣性約束核聚變對(duì)光學(xué)晶體磷酸二氫鉀（KDP）晶體所需的面形精度、表面質(zhì)量的高要求, 對(duì)降低 KDP 晶體表面粗糙度和消除 KDP 晶體表面周期性刀痕, 某廠商采用離子源產(chǎn)生的離子束進(jìn)行KDP晶體的沉積修正拋光.

該廠商采用雙離子源濺射沉積系統(tǒng), 其中一個(gè)離子源采用伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 380 對(duì)靶材進(jìn)行濺射, 另一個(gè)離子源采用伯東 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 對(duì)樣品進(jìn)行離子刻蝕.

其工作示意圖如下：

用于濺射的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

用于刻蝕的 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：

* 可選: 可調(diào)角度的支架

推薦理由：

使用 KRI 平行型射頻離子源 RFICP 100 可以準(zhǔn)確、靈活地對(duì)樣品選定的區(qū)域進(jìn)行刻蝕, 可以使大口徑光學(xué)元件 KDP 晶體表面更均勻

運(yùn)行結(jié)果:

1. 濺射沉積的KDP晶體表面的均勻性在5%以內(nèi), 刻蝕均勻性在5%以內(nèi)

2. 離子束刻蝕可以消除KDP晶體表面周期性刀痕

3. KDP晶體表面粗糙度降低到1.5nm,達(dá)到了預(yù)期目的

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